삼성전자, 올 연말 '4세대 V낸드 솔루션' 공개

[양태훈기자] 삼성전자가 10일, 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2016'에서 차세대 V낸드 솔루션을 공개했다.

4세대(64단) V낸드 기술을 바탕으로 3차원(3D) 메모리 기술 리더십을 공고히 하고, 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 '테라(TB)' 시대를 주도해 나간다는 전략이다.

4세대 V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀을 기존보다 1.3배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 혁신 기술이 적용된 제품이다.

512Gb까지 구현이 가능해 고용량 제품을 소형 패키지로 만들 수 있으며, 입출력 속도를 800Mbps까지 향상시켰다.

삼성전자는 고용량 서버용 32TB SAS SSD, 울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD, 하이엔드용 Z-SSD 등 세계 최초로 4세대 V낸드 기반 솔루션 제품을 올해 4분기부터 출시할 예정이다.

세계 최대 용량의 32TB 서버 SSD는 기존 HDD로 구성된 시스템을 32TB SAS SSD로 대체할 경우, 시스템의 물리적인 공간을 약 40분의 1로 줄일 수 있다.

삼성전자는 2020년까지 100TB 이상 초고용량 SSD를 개발해 테라 SSD 대중화를 선도하고 데이터센터와 기업용 스토리지 SSD 시장을 지속 선점한다는 방침이다.

1TB BGA NVMe SSD는 삼성전기와 고집적 패키지 기술(FO-PLP)을 공동 개발해 완성한 1센트 동전 크기의 초소형 제품이다.

연속 읽기속도는 기존 SSD보다 3배 빠른 1천500MB/s이며, 고속쓰기 기술을 적용해 쓰기속도도 900MB/s에 이른다.

이는 고해상도 풀HD급 영화 1편(5GB)을 약 3초에 전송, 약 6초에 저장할 수 있는 속도다. 이 제품은 기존 제품 대비 크기를 50% 이상 줄여 대용량 배터리 탑재 공간 확보 등 울트라 슬림 PC의 디자인 유연성 향상에 크게 기여할 것으로 기대된다.

하이엔드용 Z-SSD는 NVMe SSD 대비 응답시간은 4배, 연속 읽기속도는 1.6배 빠른 제품이다. V낸드, 컨트롤러 등 최적화된 동작회로를 구성해 스토리지의 성능을 더욱 높였다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "고객들에게 4세대 V낸드 기반 고용량, 고성능, 초소형 솔루션을 제공해 스토리지 시스템의 TCO 절감 효과를 극대화할 수 있게 됐다"며, "향후 독보적인 V낸드를 양산하며 3차원 메모리 반도체 시대를 개척하고, 매년 적층 단수를 늘리며 고객들에게 삼성전자만의 차별화된 V낸드 솔루션을 제공해왔다"고 말했다.

양태훈기자 flame@inews24.com