SK하이닉스 "고대역폭·뉴 메모리 기술, 놓치지 않는다"

[양태훈기자] SK하이닉스가 차세대 메모리 시장을 대비, '고대역폭(HBM)' 및 '뉴 메모리' 기술개발에 집중하고 있다.

자사의 주력 제품군인 'D램' 및 '낸드플래시'가 현재 메모리 반도체 시장의 주류를 차지하고 있지만, 미래의 불확실성을 예측할 수 없다는 이유 때문이다.

피승호 SK하이닉스 미래기술연구원 연구개발(R&D) 개발실장(상무)는 8일 서울 양재 엘타워에서 열린 '반도체·디스플레이 기술 로드맵 세미나'에서 "D램이 DDR3에서 DDR4, DDR5로 발전하면서 속도가 빨라지고 있는데, DDR5 이후인 DDR 넥스트에서는 고대역폭 메모리 적용여부가 화두가 되고 있다"고 말했다.

고대역폭 메모리는 D램을 수직으로 쌓아 기존 D램 대비 수 배 이상 빠른 속도를 제공하는 메모리 반도체를 말한다.

이는 D램 칩을 일반 종이 두께보다 절반 이하로 얇께 깎은 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 관통하는 전극을 서로 연결한 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 생산된다.

피승호 상무는 "고대역폭 메모리는 실리콘관통전극을 이용해 메모리를 적층하는 만큼 (일반 메모리보다) 수율과 비용이 증가하는 문제가 있지만, 언제가 고대역폭을 (보편적으로) 적용하는 시대가 올 것이라고 본다"며, "SK하이닉스는 세계적인 실리콘관통전극 기술을 보유, 이를 잘 준비하고 있다"고 말했다.

인텔과 마이크론이 지난해 발표한 뉴 메모리 기술인 '3차원(3D) 크로스포인트'와 관련해서도 "당장은 (뉴메모리가 시장을 장악하는 것은) 아니지만 미래를 대비하지 않으면 위험요소가 될 수 있어, 이를 준비하고 있다"고 말했다.

3D 크로스포인트는 낸드플래시 대비 1천배 빠른 속도를 제공하는 동시에 D램과 달리 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성을 가진 뉴 메모리를 말한다.

반도체 업계에서는 현재까지 알려진 3D 크로스포인트 기술은 낸드플래시보다 용량이 작고, D램보다 속도가 5배 정도 느려 기존 시장을 대체할 가능성이 낮다고 보고 있는 상황.

피승호 상무는 "D램과 낸드플래시 모두 기존의 한계로 여겨졌던 부분을 극복하고 있어, 아직은 뉴 메모리가 (시장에) 들어올 영역이 없다고 본다"면서도, "(문제는) 마이크론의 파트너가 인텔이라는 사실로, 시스템 업체들은 좋은 특성을 갖춘 기술을 시스템에 적용하고 싶어하기 때문"이라고 밝혔다.

더불어 "이는 SK하이닉스 입장에서도 위기가 될 수 있다"며, "SK하이닉스는 RC 램·STT M램·Re램 등 뉴 메모리를 열심히 준비하고 있다"고 덧붙였다.

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