[양태훈기자] 중국의 '반도체 굴기' 움직임이 빨라질 조짐이다. 중국 국영 반도체 기업 칭화유니그룹이 D램 신규 생산라인 추진 및 미국 반도체기업 마이크론테크놀로지와의 협력 등에 속도를 내고 있어 주목된다.
세계 메모리 시장 1위와 2위 업체인 삼성전자와 SK하이닉스는 차별화된 기술로 후발 주자들의 거센 추격을 막아낸다는 전략이다.
3일 중국의 주요 매체들은 대만 국영 통신사 CNA를 인용, 최근 칭화유니그룹이 12인치 D램 생산시설(팹)을 구축하기 위해 마이크론에 지분 매입 및 기술제휴를 요청했다고 보도했다.
보도에 따르면 칭화유니그룹은 600억 위안(한화 11조 34억 원)을 투자해 중국 남부에 신규 팹을 건설하는 동시에 마이크론에 지분을 매각, 해당 팹에서 생산되는 D램을 마이크론에 저가로 공급한다는 계획이다.
마이크론은 메모리 반도체 세계 3위 업체다. 중국의 자본 및 시장, 미국의 기술 결합을 재추진하고 나섰다는 점에서 관련 시장을 선도하고 있는 국내 기업에도 영향을 미칠 조짐이다.
다만 아직은 이같은 움직임이 실제 시장의 경쟁구도를 바꿀만큼 위협적인 것은 아니라는 게 국내 반도체 업계의 시각이다.
중국이 기술제휴를 통해 D램 생산라인 설립에 돌입해도 단시간 내 기술격차를 극복하기는 쉽지 않다는 이유에서다.
업계 관계자는 "중국이 D램 생산라인 완공하기까지 최소 3년의 시간은 소요될 것"이라며, "해당 기간 동안 삼성전자와 SK하이닉스는 신규 기술개발 및 생산라인 확충을 통해 격차를 벌일 수 있다"고 설명했다.
전문가들 역시 비슷한 입장이다. 전병서 중국경제금융연구소 소장은 "중국이 반도체 시장에 뛰어드는 것은 분명하지만, 한국 기업과 경쟁하려면 최소 3년은 걸릴 것"이라며, "다만 (미래를 대비해) 중국이 따라올 수 없는 새로운 분야에 포커스를 맞추는 것은 중요하다"고 조언했다.
이와 관련 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)에 대한 수요가 확대됨에 따라 격차 기술인 3차원(3D) 낸드 기반의 제품경쟁력을 크게 강화하고 있다.
3D 낸드플래시는 미세공정 한계로 고용량 낸드플래시 구현이 어려워지면서 기존의 수평구조인 2D(플래너)에서 셀을 수직(3차원)으로 쌓아 저장용량을 높인 방식이다.
현재 삼성전자가 세계에서 유일하게 중국 시안 생산라인 등에서 이를 양산 중으로, 삼성전자는 전체 SSD 매출의 절반을 3D 낸드로 확장하는 등 시장 선도적인 위치를 점하고 있다.
특히, 삼성전자는 올 1분기 내 자사 3D 낸드인 'V낸드'의 램프업(양산량증대)을 추진, 2D(플래너) 수준의 가격경쟁력을 확보해 경쟁사와의 격차를 더욱 벌린다는 전략이다.
SK하이닉스도 이르면 상반기 중 2세대(36단) 3D 낸드 양산과 동시에 3세대(48단) 트리플 레벨 셀(TLC) 기반 제품 개발을 완료, 추격 속도를 높일 계획이다.
한편, 칭화유니그룹은 지난해 7월 마이크론 인수가 무산됨에 따라 9월 자회사 유니스플렌더를 통해 세계 1위 HDD 기업인 '웨스턴디지털'의 지분 15%를 인수하기도 했다.
이어 10월에는 웨스턴디지털을 통해 마이크론과 합작을 통해 낸드플래시를 양산 중인 샌디스크를 190억 달러에 우회 인수하는데 성공, 낸드플래시 메모리 시장 진입을 예고한 상태다.
양태훈기자 flame@inews24.com
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