인텔·마이크론, 메모리 1위 '삼성' 추격위해 협력

[양태훈기자] "3차원(3D) 크로스 포인트는 인텔과 마이크론이 10년 간 협력해 개발한 스토리지 메모리 기술로 기존 메모리의 위계 질서를 완벽히 바꿔놓을 것이다."

찰스 브라운 인텔 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 솔루션 설계 담당은 29일 서울 삼성동 그랜드 인터컨티넨탈 호텔서 열린 기자 간담회에서 차세대 비휘발성 메모리 '3차원 크로스 포인트(Xpoint)'를 공개하며 이같이 강조했다.

3차원 크로스 포인트 기술은 기존 낸드 플래시 대비 1천배 빠른 속도와 높은 내구성을 제공하면서 전원을 꺼도 데이터가 사라지지 않는 비휘발성의 특성을 지녔다.

기존 D램 및 낸드 플래시 메모리가 트랜지스터를 통해 전류를 각 메모리 셀에 흘려보내 데이터를 저장했던 것과 달리 트랜지스터가 없어도 데이터를 저장할 수 있는 새로운 메모리 설계 방식(크로스 포인트)이 적용된 것이 차이점이다.

구조는 약 1천280억 개의 메모리 셀이 수직으로 쌓여있는 가운데 전류가 흐르는 금속 와이어가 상·하단에 위치, 각각의 셀리 교차하는 부분(크로스 포인트)에 전압을 걸어 데이터를 저장하는 방식이다.

찰스 브라운 담당은 "3차원 크로스 포인트 기술은 기존 낸드 플래시 대비 1천배 빠른 속도와 높은 내구성을 제공한다"며, "특히, 기존 메모리 대비 10내 높은 집적도를 가지고 있어 동일 면적 대비 10배 높은 용량을 끌어낼 수 있다"고 강조했다.

이어 그는 "지난 2008년 SSD를 소개했을 때, 단위속도는 당시 주류였던 하드 디스크 드라이브(HDD)의 밀리초(ms)였지만 SSD 출시로 마이크로초(㎲, 100만분의 1초)로 줄어들었다"며, "3차원 크로스 포인트 기술로 다시 단위속도는 나노초(㎱, 10억분의 1초)로 줄어들 것"이라고 덧붙였다.

이는 200년에 걸쳐 쌓아야하는 만리장성을 단 73일 만에 완공할 수 있는 속도 차이로, 내구성 역시 지구를 120바퀴를 자동차로 돌았을 때 엔진 오일을 교환하는 수준으로 향상됐다고 인텔 측은 설명했다.

인텔은 최근 다양한 기기와 디지털 서비스 간의 연결이 급속도로 증가, 방대한 양의 새로운 데이터가 늘어나는 만큼 3차원 크로스 포인트가 미래에 필수적인 기술이 될 것으로 기대했다.

찰스 브라운 담당은 "그동안 마이크로프로세서의 속도는 빠르게 진화했지만 스토리지는 이를 따라가지 못했다"며, "일상에서 엄청난 양이 데이터가 발생하는 만큼 이를 유용하게 사용하려면 프로세스에 더 근접한 메모리 기술(인메모리)이 필요하다"고 강조했다.

이어 "3차원 크로스 포인트는 이를 돌파할 수 있는 혁명적 기술"이라며, "기존 메모리 대비 10배 높은 집적도를 가지고 있고, 동일 면적 대비 10배 높은 고용량 끌어낼 수 있는 만큼 메모리의 위계 질서를 완벽히 바꿔놓을 것"이라고 덧붙였다.

앞으로 인텔은 PC나 서버 외에도 다양한 영역에 3차원 크로스 포인트 메모리 기술을 적용한다는 전략으로, 가격 역시 기존 낸드 플래시 메모리와 경쟁할 수 있는 수준으로 내놓을 예정이다.

찰스 브라운 담당은 "3차원 크로스 포인트 기술은 연구개발(R&D)을 넘어 본격적인 제조단계에 진입, 스토리지 분야에서 혁명을 가져올 것"이라며 "현재 미국 유타주에 위치한 인텔과 마이크론의 팹(Fab)에서 생산에 돌입, 대규모 양산은 오는 2016년부터 들어갈 계획으로, 최초 소개될 3D 크로스 포인트 메모리는 128기가비트(Gb)"라고 전했다.

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