SK하이닉스, 4배 빠른 모바일D램 개발 성공

[박영례기자] 기존 보다 데이터 처리 속도를 4배 가량 끌어올린 차세대 모바일 D램이 업계 첫 개발, 하반기 양산에 들어간다.

3일 SK하이닉스(대표 박성욱)는 고성능 와이드 IO2 모바일 D램(이하, 와이드 IO2) 개발에 성공했다고 발표했다.

와이드 IO2는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 진행 중인 모바일 D램의 한 종류로 20나노급 공정을 적용한 8Gb(기가비트) 용량 제품이다.

특히, LPDDR4와 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화했으며, 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 게 특징.

기존 LPDDR4는 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능하다. 이와 달리 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리, 초당 처리 용량은 기존보다 4배 빨라 현존 모바일 D램 중 최고 성능을 자랑한다는 게 회사측 설명이다.

현재 주요 시스템온칩(SoC) 업체에 샘플을 공급한 상태로 내년 하반기부터 양산에 나선다. 고객사를 통해 와이드 IO2와 함께 SoC를 탑재, 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 시장에 최종 공급될 예정이다.

SK하이닉스를 이를 앞세워 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 전략이다.

SK하이닉스 모바일 개발본부장 김진국 상무는 "향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발, 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다"고 밝혔다.

한편, D램은 DDR 제품을 기반으로 진화를 계속해 왔으나, 최근에는 고성능을 요구하는 고객 수요에 맞춰 HBM(High Bandwidth Memory) 및 와이드 IO2 등과 같은 새로운 형태로도 발전을 계속하고 있다.

SK하이닉스는 지난해 12월과 올해 4월 업계 첫 TSV(실리콘 관통전극) 기술 기반의 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발, 고객과 상품화를 진행 중에 있다. 이번에 TSV 기술 적용이 가능한 와이드 IO2 제품 개발도 완료, TSV 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것으로 기대된다.

박영례기자 young@inews24.com