차세대 메모리 'R램' 상용화 가능성 열렸다

[박영례기자] 삼성전자가 차세대 메모리로 각광받는 R램(RRAM)의 내구성을 높인 신구조 기술확보에 성공했다. 쓰기-지우기 1조번 반복할 수 있는 내구성을 확보, 상용화 가능성 연 것.

기존 R램의 내구성은 기존 메모리 수준에 그쳐 상용화에 어려움이 컸다. 이번 연구결과는 세계적 권위지를 통해 발표된다. 상용화시기는 향후 5년이후에나 가능하나 이번 기술개발로 시기를 앞당겼다는 평가다.

12일 삼성전자는 차세대 메모리로 각광받고 있는 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항변화형 메모리)의 쓰기-지우기 내구성과 속도 등을 대폭 향상시킬 수 있는 기술 개발에 성공했다고 발표했다.

삼성전자가 이번에 개발한 R램 기술은 쓰기-지우기 동작을 기존 플래시 메모리의 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있는 내구성을 확보했다는 점에서 주목된다.

삼성전자는 R램의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용, 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 'Ta2O5-x'와 'TaO2-x'의 2중층으로 나눠 전류를 흘려 주는 필라멘트를 'Ta2O5-x'의 한 층에만 분포되도록 했다.

이같이 필라멘트의 분포를 제어하는 R램 신기술 개발을 통해 기존 메모리의 100만배에 달하는 내구성 확보는 물론, 전류량도 감소할 수 있게 됐다는 게 회사측 설명이다.

또한, 트랜지스터와 레지스터(Resistor)를 각각 1개씩 구성하는 1T1R(1 Transistor 1 Resistor)의 기존 R램 구조를 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 수 있는 가능성도 제시했다.

삼성전자의 이번 연구 결과는 영국에서 발간하는 세계적 권위의 학술지 '네이처 머티어리얼즈(Nature Materials)' 인터넷판(10일자)에 '산화탄탈륨(Ta2O5-x/ TaO2-x)의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 고용량 RRAM 구현'이라는 제목으로 게재됐다.

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