지난해는 한국 메모리 반도체의 힘을 뽐낸 한 해로 기억될 전망이다.
삼성전자 반도체, 하이닉스가 나란히 사상 최대 실적을 달성했다.
삼성전자(대표 최지성)는 지난 2010년 반도체 사업에서 매출 37조6천400억원, 영업이익 10조1천100억원을 기록했다고 28일 발표했다.
하이닉스반도체(대표 권오철)는 지난 2010년 매출 12조990억원, 영업이익 3조2천730억원을 기록했다고 지난 27일 발표했다.
두 회사 모두 매출과 영업이익에서 연간 사상 최고치를 경신했다.
삼성전자와 하이닉스는 경쟁사 대비 앞선 공정기술을 바탕으로 전세계 D램 시장에서 각각 점유율 40%, 20% 이상을 차지하고 있다.
앞으로 이 격차는 더욱 벌어질 가능성이 있다.
엘피다, 마이크론 등 해외 메모리 반도체 업체가 지난해 기대 이하의 실적을 기록하면서 공정 기술 및 생산 설비에 대한 투자를 공격적으로 하기 어려워졌기 때문이다.
반면 삼성전자는 올해 메모리 반도체에 5조8천억원, 하이닉스는 3조4천억원을 투자할 계획이다.
이미 D램 및 낸드플래시 미세공정 기술에서 앞서 있는 국내 두 업체가 공격적인 투자를 준비함으로써 제품 및 원가 경쟁력이 비교적 떨어지는 해외 업체의 경우 수익성을 갖추기 쉽지 않을 전망이다.
메모리 반도체 전세계 3위 업체 엘피다는 대만 업체들과 통합 논의를 진행하는 등 새로운 활로를 찾기 위해 분주한 모습이다.
국내 업체는 자신감을 보이고 있다.
권오철 하이닉스 사장은 "엘피다와 대만 업체의 통합은 큰 변수가 되지 않을 것"이라며 "메모리 반도체 시장에서 국내 기업과 해외 기업 간 격차는 더욱 벌어질 것"이라고 말했다.
삼성전자 관계자는 "D램의 경우 저전력, 친환경 제품 등으로 차별화를 하고 30나노 이하급 공정 비중을 확대해 원가 경쟁력을 확보할 것"이라며 "낸드플래시 역시 20나노급 공정 비중을 높이겠다"고 말했다.
김도윤기자 moneyno@inews24.com
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