인텔, 첫 EUV 활용 '인텔4' 공정 반도체 양산 돌입

[아이뉴스24 민혜정,이시은 수습 기자] 인텔이 극자외선(EUV) 기술을 적용한 차세대 공정으로 반도체 양산에 돌입했다.

인텔은 아일랜드 래익슬립 소재 팹34에서 EUV 리소그래피 기술을 사용하는 인텔4(7나노미터급)를 도입했다고 4일 밝혔다. 인텔4 공정은 인텔7 공정 대비 트랜지스터 집적도는 최대 2배, 성능은 최대 20% 향상된다.

EUV는 기존 공정에 적용 중인 불화아르곤 광원보다 파장이 훨씬 짧기 때문에 더 미세하게 패턴을 새길 수 있다. 인텔은 인텔7 공정까지는 EUV 대신 심자외선(DUV)으로 웨이퍼에 위에 여러 번 회로도를 겹쳐 그리는 방식(멀티패터닝)으로 제품을 생산해왔다.

EUV는 DUV보다 10배 이상 짧아진 파장을 통해 멀티 패터닝 기술 없이 미세 공정을 구현할 수 있다. 이에따라 비용, 시간 등을 절감할 수 있다. 인텔이 EUV를 도입한 이유다.

이 회사는 향후 출시할 인공지능(AI) PC의 기반인 인텔 코어 울트라 프로세서(코드명 메테오레이크)와 내년 출시할 인텔3(4나노미터급) 기반의 인텔 제온 프로세서 등에 인텔4를 적용할 예정이다. 키반 에스파르자니 인텔 수석부사장은 "아일랜드는 인텔의 글로벌 제조 기반의 중심"이라며 "인텔4 공정 기반 제조 역량을 팹34에 도입함으로써 아일랜드와 유럽에 최선의 결과물을 제공할 것"이라고 강조했다.

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