[아이뉴스24 김문기기자] 삼성전자가 착공 2년만에 평택 반도체 라인 가동을 시작했다 2021년까지 총 30조원을 투자해 증설에 나선다. 차세대 낸드플래시 등 메모리 시장 경쟁력 강화에 나선다.
삼성전자는 4일 평택 반도체 단지에서 제품 출하식을 갖고 최첨단 3차원 V낸드 양산을 시작했다고 밝혔다. 출하식에는 권오현 대표(부회장)과 김기남 반도체총괄 사장, DS부문 각 사업부장 등 주요 경영진과 임직원 100여명이 참석했다.
권오현 삼성전자 대표(부회장)는 격려사를 통해 "평택 반도체 단지는 삼성전자 반도체의 미래를 위한 새로운 도전"이라며, "그 첫 도전을 성공적으로 준비해 준 임직원과 협력사에게 감사의 뜻을 전한다"고 말했다.
삼성전자는 평택 반도체 라인 본격 가동과 함께, 반도체와 디스플레이 생산라인 증설 등에 약 37조원 이상을 투자한다고 선언했다. 부품사업 경쟁력 확보와 일자리 창출, IT 전후방 산업 육성을 위해서다. 한국은행에 따르면 이번 삼성전자의 투자에 따라 직간접적인 경제 파급효과가 오는 2021년까지 생산유발효과 163조원, 고용유발효과 44만명으로 계산된다.
삼성전자의 평택 반도체 라인은 단일 라인 기준 세계 최대 규모다. 지난 2015년 5월 착공해 2년만에 완공됐다. 건설 현장에 투입된 일 평균근로자가 1만2천여명에 이른다.
평택 반도체 라인에서 생산되는 제품은 최첨단 4세대 64단 V낸드 제품이다. 이번 가동을 시작으로 지속적인 생산설비 확충을 통해 메모리 시장 경쟁력을 강화한다는 계획이다.
삼성전자는 "최근 반도체 시장은 최첨단 제품의 수요확대로 인해 글로벌 IT 고객들이 물량확보에 어려움을 호소하고 있다"며, "데이터센터, 빅데이터, AI,오토모티브 등 다가오는 미래 IT 시장에서도 첨단 반도체 수요는 지속적으로 확대될 전망"이라고 강조했다.
시장조사업체 IHS마킷에 따르면 지난 1분기 삼성전자는 전세계 D램, 낸드플래시 시장에서 각각 1위를 차지했다. D램 부문에서는 43.5%의 점유율을, 낸드 시장에서는 36.7%를 기록 중이다. 전반적으로 수요 대비 공급이 부족한 상황이다.
삼성전자는 이번에 가동을 시작한 평택 1라인에 대한 증설에 나설 계획이다. 기존 투자금액을 포함해 오는 2021년까지 약 30조원을 투자한다. 고용량 SSD 등의 수요를 고려해 V낸드 캐파를 점진적으로 늘리겠다는 복안이다.
낸드플래시를 양산하고 있는 중국 시안에 반도체 라인 추가 건설도 검토 중이다. 현재 시안 반도체 라인은 100% 가동 중이다. 삼성전자는 "규모의 경제를 확보하기 위해 추가 라인건설로 낸드플래시 최대 수요처인 중국시장에 대응할 것"이라고 설명했다.
삼성전자는 평택 뿐만 아니라 화성사업장에도 6조원을 투입한다. 화성 사업장에는 D램과 낸드플래시, 비메모리 반도체 등이 생산되고 있다. 업계에 따르면 삼성전자는 D램을 생산하고 있는 17라인 증설과 더불어 새로 신규 공장을 건립해 7나노 시스템LSI 라인으로 활용할 계획이다.
삼성전자는 이에 대해 "EUV 등 첨단 인프라에 최적화된 신규라인을 확보해 미래 반도체 시장을 준비한다는 전략"이라고 소개했다.
IHS마킷에 따르면 전세계 파운드리 시장에서 지난해말 삼성전자는 7.9%로 4위를 수성하고 있다. 이 시장은 대만 TSMC가 50.6%의 점유율로 독보적인 위치를 차지하고 있다. 삼성전자는 경쟁사 대비 앞선 미세공정 전환을 통해 올해 반등의 기회를 잡은 바 있다. 7나노 시장 대응을 위해 8나노로 숨을 고를 계획인 삼성전자는 보다 안정적인 7나노 공급을 위한 투자를 집행 중이다.
한편, 삼성전자는 삼성디스플레이와 함께 대규모 투자를 통해 경기도 기흥과 화성, 평택과 충청도 아산에 이르는 첨단 부품 클러스터 구축해 국내 장비, 소재 산업과의 동반성장은 물론 후방 산업 생태계 활성화를 통해 R&D 및 서비스 등 고급 기술인력 수요도 확대할 계획이다.
김문기기자 moon@inews24.com
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