[양태훈기자] 삼성전자가 빅데이터 시대를 맞아 데이터센터의 효율적인 운용을 지원하는 반도체 사업에서 승부수를 띄운다.
핵심제품은 차세대 D램 속도 규격인 DDR4와 3차원 수직구조 낸드플래시(V낸드)를 기반으로 한 솔리드스테이트드라이브(SSD)다.
1일 업계에따르면 삼성전자는 반도체 사업부문을 총괄하는 DS부문 인력을 늘리고, 그룹 산하에 빅데이터센터를 설립, 제품별 소비자 선호도 분석에 돌입하는 등 사업역량을 강화하고 있다.
DDR4는 기존 DDR3 대비 대기 전류는 30%, 전력소모는 35% 절감이 가능하도록 에너지 효율성을 높인 제품이다.
전송속도 역시 DDR3보다 2배 이상 빨라 데이터 전송량을 크게 늘릴 수 있어 차세대 서버 D램 솔루션으로 주목받고 있다.
◆ 향후 2년내 D램 시장, DDR4가 DDR3 추월
시장조사업체 IHS에 따르면 내년 DDR4 시장은 올해 대비 5배 이상 성장한 10.3%에 이를 것으로 전망, 오는 2016년에는 25.8%로 DDR3(23.3%)를 넘어설 전망이다.
삼성전자는 지난해 8월 차세대 데이터센터 엔터프라이즈 서버에 탑재되는 최고 속도의 20나노(nm)급 DDR4 모듈 양산에 돌입, 지난달에는 세계 최초로 20나노 8기가비트(Gb) DDR4 서버용 D램 양산에 성공했다.
D램은 이르면 올해 말 완공 예정인 화성 17라인 공장(S3라인)을 통해 주로 공급될 예정으로, 12인치 웨이퍼 기준 월 4만~6만장 수준을 생산할 것으로 알려졌다.
삼성전자는 올해 3분기 D램 시장에서 전분기 대비 18.4% 증가한 41.7%의 시장 점유율을 기록, 50억1천900만 달러의 매출(D램익스체인지 기준)을 달성하는 등 D램 부문 세계 1위를 차지하고 있다.
◆ TLC V낸드 기반 SSD 양산에 집중
삼성전자는 내년 3비트 V낸드 기반의 SSD 양산을 본격화할 계획으로, 이르면 내년 1분기부터 중국 시안 반도체 공장을 통해 SSD 공급을 본격화 할 예정이다.
삼성전자는 지난달 세계 최초로 3비트 기술을 적용한 3차원 V낸드플래시 메모리 양산에 돌입했다.
3비트 V낸드는 트리플레벨셀(TLC) 기술을 적용한 고성능 낸드플래시로, 기존 평면이었던 반도체 셀의 구조를 수직(3차원)으로 늘려 저장할 수 있는 데이터량을 더욱 많이 확보할 수 있다.
하나의 셀에 저장할 수 있는 데이터량이 싱글레벨셀(SLC) 대비 8배나 많고, 원가 역시 기존 대비 30% 이상 절감이 가능하다.
최근 반도체 시장에서 SSD의 가격 하락세가 이어지고 있는 만큼 성능과 가격경쟁력을 갖춘 TLC 기반 SSD로 수익을 내겠다는 게 삼성저자의 전략이다.
실제 시장조사업체 IHS에 따르면 256기가바이트(GB) SSD 평균판매가격(ASP)는 올해 3분기 124달러(한화 13만7천379원)을 기록, 전년동기(171달러) 대비 27.5% 감소한 것으로 나타났다.
이에 업계에서는 SSD 가격 하락세로 더불어 내년 SSD 보급이 더욱 확대될 것으로 기대하고 있다.
삼성전자 관계자는 "삼성전자는 내년 고사양의 데이터센터 서버용 SSD부터 일반 소비자용 SSD까지 3비트 V낸드를 탑재한 제품을 선보일 것"이라며 "가격경쟁력 및 성능면에서 (경쟁사 대비) 우위를 점할 수 있을 것"이라고 말했다.
한편, SSD는 낸드플래시를 이용한 저장장치로, 기존 하드디스크드라이브(HDD)에 비해 뛰어난 안정성과 빠른 데이터 전송속도를 제공하지만 HDD 대비 높은 가격이 보급화에 걸림돌로 작용해왔다.
양태훈기자 flame@inews24.com
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