[양태훈기자] 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 10일 '세계 팹 전망보고서'를 통해 올 연말부터 본격적인 팹 투자가 진행, 내년까지 총 19곳에서 신규 팹 및 반도체 생산라인에 대한 투자가 이뤄질 것으로 전망했다.
올해 팹 장비 투자규모는 3차원(3D) 낸드플래시 메모리와 10나노미터(nm, 10억분의 1미터) 공정, 파운드리 분야의 장비투자로 360억 달러(한화 41조9천940억원)를 기록, 직전년도 대비 1.5% 성장할 것으로 예측했다.
이에 내년 팹 장비 투자규모는 407억 달러(한화 47조4천765억5천만원)를 형성, 올해 대비 13% 성장할 전망이다.
반도체 장비 투자는 첨단 기술 도입을 위한 기존 팹 라인과 지난해 지은 팹 라인을 중심으로 이뤄질 예정이다.
한편, 내년까지 신축되는 지역별 웨이퍼 제조 팹은 신규 팹 및 라인을 포함해 300밀리미터(mm) 팹 라인이 12곳, 200밀리미터가 4곳, 발광다이오드(LED) 팹이 3곳으로 총 19곳으로 집계됐다.
LED를 제외한 300밀리미터 크기의 웨이퍼는 올해 월 21만장, 내년에는 월 33만장의 생산량을 기록할 전망이다.
/양태훈기자 flame@inews24.com
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