SK하이닉스, 4배이상 빠른 초고속 메모리 개발

[김현주기자] SK하이닉스는 기존 제품보다 4배 이상 빠르고 전력 소모도 40% 줄인 초고속 메모리(HBM) D램 반도체를 개발했다고 26일 발표했다. 고사양 그래픽 시장과 슈퍼컴퓨터 등에 응용될 것으로 예상된다.

이 회사는 미국의 AMD와 함께 초당 128GB의 데이터를 처리할 수 있는 TSV(실리콘통관전극)에 기반을 둔 초고속 D램(HBM)을 개발하는 데 성공했다.

HBM은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 표준화를 진행 중인 고성능, 저전력, 고용량 D램 제품이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있다. 특히 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.

초당 28GB의 데이터를 처리하는 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다.

SK하이닉스는 이 제품에 TSV 기술을 활용해 20㎚ D램을 4단으로 쌓았다. 기술 검증은 AMD와 함께 했다.

TSV는 2개 이상의 칩을 수직으로 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식으로 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.

SK하이닉스는 이 제품이 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 것으로 내다봤다.

SK하이닉스는 내년 상반기 중 이 제품의 시제품을 고객사에 전달할 계획이다. 양산은 내년 하반기부터 시작될 예정이다. 시스템온칩(SoC)이나 시스템인칩(SiP) 형태로 실제 공급한다.

SK하이닉스 홍성주 DRAM개발본부장은 "고사양 제품을 내년 상용화 하고 제품군을 더욱 강화해 메모리 시장에서 경쟁력을 높이겠다"고 말했다.

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