삼성전자, 中 시안 2기 라인 착공…V낸드 수요 대응

[아이뉴스24 강민경 기자] 삼성전자가 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 추가 건설하면서 3D 낸드플래시(V-NAND) 수요 증가에 대응한다.

삼성전자는 28일 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식을 했다고 밝혔다. 지난 2017년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 업무협약(MOU)을 체결했다. 삼성전자는 여기에 향후 3년간 총 70억달러를 투자한다.

김기남 삼성전자 사장은 기념사를 통해 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께, 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여 하겠다"고 말했다.

삼성전자는 이번 2기 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일·IT업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국 시장의 요구에 보다 원활히 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 ▲2012년 1기 기공식 ▲2013년 전자연구소 설립 ▲2014년 1세대 V-NAND 양산 ▲2015년 후공정 라인 완공 ▲2018년 2기 증설까지 꾸준한 투자를 추진하고 있다.

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