삼성, 세계최초 20나노 8Gb DDR4 서버 D램 첫 양산

[양태훈기자] 삼성전자가 세계 최초로 20나노(nm) 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 21일 발표했다.

이 제품은 올해 DDR4 전용 서버 중앙처리장치(CPU) 출시에 맞춰 양산을 시작할 예정으로, 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3를 대체해 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품이다.

기존 DDR3 기반 모듈 대비 30% 빠른 2천400메가비피에스(Mbps) 성능을 구현, 전력효율도 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5V 대비 뛰어나다.

삼성전자는 기존 4기가비트 제품 기반으로는 최대 64기가바이트(GB) 용량의 모듈만 가능하지만, 이번 8기가비트 D램 및 지난 8월 삼성전자가 최초로 양산을 시작한 실리콘관통전극(TSV) 기술을 접목하면 128GB 모듈도 공급이 가능하다고 강조했다.

삼성전자는 지난 3월 20나노 PC용 D램을 양산한 데 이어 9월에는 모바일 D램을, 이번에 서버용 20나노 공정을 적용한 D램까지 양산하게 돼 20나노 D램 시대를 풀 라인업을 구축했다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 "이번 제품은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 고성능, 고용량, 저전력 특성을 모두 만족시킨 제품"이라며 "20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 앞으로 PC용의 경우 생산 효율이 높은 4기가비트, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6기가비트, 서버용은 고용량의 8기가비트 D램 등 다양한 용량의 제품을 통해 D램 시장을 이끌어 갈 계획이다.

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