[아이뉴스24 김문기기자] 삼성전자는 27일 올 1분기 경영실적발표에 이은 컨퍼런스 콜을 통해 "수요변동에 따른 탄력적인 대응을 위해 반도체 전체 캐파를 최적화하고 있다. 11라인 일부를 이미지센서 시장에 대응하기 위해 CIS로 전환한다. 1x나노 개발 등 자연 감소분에 대응해 추가 생산물량을 늘릴 것이다. 추가 설비 투자 등 증설을 검토하고 있지는 않다"고 답했다.
삼성전자 화성 11라인은 D램을 주력으로 생산하고 있다. 이 중 일부를 CIS로 전환한다. 오는 2018년 상반기 양산을 목표로 한다. 정확하게는 고객사 요청이나 시장 상황에 따라 탄력적으로 해 나간다는 방침이다.
삼성전자는 "이미지센서 시장은 듀얼카메라 채택 확대 등 다양하게 성장중이다. 자동차나, VR, 360 카메라 등 고객사가 확대되고 있다"고 설명했다. V낸드플래시에 대해서 삼성전자는 "평택 캠퍼스는 기존 계획대로 올해 중반 가동해서 추가 증설에 들어간다. 고용량 SSD 등을 수요를 고려해 점진적으로 V낸드 캐파를 늘릴 계획이다. 시안의 경우 (2라인 증설을) 검토 중이지만 구체적인 결정 사항은 없다"고 말했다.
시스템LSI 미세공정과 관련해 삼성전자는 "10나노 2세대 공정 양산을 위해 올해 4분기 화성 S3라인은 10나노 생산설비 증설해 안정적으로 생산을 시작할 계획"이라며, "(기존 14나노, 10나노 1세대의 경우) 중저가 AP및 각종 로직에 대응한다. S1과 S2 추가 증설없이 탄력적으로 프로덕트 믹스를 통해 혼용 활용할 계획이다"라고 언급했다.
향후 7나노공정 계획에 대해 삼성전자는 "선두공정을 선개발하고 파생공정을 제공해 고객사가 한번의 투자로 파생공정 로드까지 활용할 수 있도록 한다. 고객의 캐팩스 효율적인 운영이 가능하다"라며, "7나노 계획은 2018년 초도생산하고 본격 양산은 2019년 예상한다. EUV 장점 최대한 활용해 공정 효율 극대화시키겠다"고 지목했다.
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