삼성·SAP, '공동 리서치센터' 운영…차세대 메모리 개발

[양태훈기자] 삼성전자는 29일 SAP와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 '공동 리서치센터'를 마련, 내달부터 운영할 계획이라고 발표했다.

인메모리 플랫폼이란 중앙처리장치(CPU)의 정보를 처리하는 메인 메모리(주기억장치)에 초대용량의 데이터를 저장, 처리 속도를 향상시키는 기술을 말한다.

삼성전자와 SAP는 지난 6월 차세대 초고속·고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 '차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)'을 체결, 인메모리 플랫폼 'SAP HANA'의 공동 기술 개발에 합의했다.

삼성전자는 공동 리서치센터를 삼성전자 부품연구동(DSR)에 설립, 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성했다.

시험 운용 등 제반 지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공한다는 계획이다. 또 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 함께 진행할 예정이다.

특히, 양사는 20나노미터(nm, 10억분의 1미터) D램 기반의 128기가바이트(GB) 3차원 수직 적층(3DS) 모듈을 탑재해 단일 서버로최대 24테라바이트(TB)급의 인메모리 플랫폼 SAP HANA를 구현한데 이어 10나노급 D램 기반 256기가바이트 3차원 수직 적층 모듈을 탑재한 차세대 시스템도 개발할 계획이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 "10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 됐다"며, "향후 기술 리더십을 더욱 강화해 '초고용량 메모리 시대'를 지속 주도해 나갈 것"이라고 강조했다.

양태훈 기자의 다른 기사 보기

• 삼성전자, 3세대 V낸드 기반 '마이크로 SD 카드' 출시

• 삼성전자, 올 연말 '4세대 V낸드 솔루션' 공개